低温金属诱导晶化a-Si_(1-x)Ge_x：H(0．25≤x≤1)薄膜

	低温金属诱导晶化a-Si_(1-x)Ge_x：H(0．25≤x≤1)薄膜
	彭尚龙; 唐泽国; 沈晓彦; 王文彬; 贺德衍
	2007-09-01
会议名称	第十六届全国半导体物理学术会议
关键词	金属诱导晶化硅锗薄膜拉曼光谱
页码	1
中文摘要	采用传统的双室射频电容耦合等离子体增强化学气相沉积方法,以硅烷和锗烷为气源在玻璃上沉积一层 a-Si_(1-x)Ge_x:H 薄膜,薄膜的厚度在800到900nm 之间。用射频溅射的方法在 a-Si_(1-x)Ge_x:H 薄膜表面溅射一层金,其厚度在50到100nm 之间。最后在氮气保护下退火制备出所需要的样品。利用 X 射线衍射、拉曼光谱、原子力显微镜以及扫描电镜等测试方法,研究了不同退火温度,不同锗含量对 a-Si_(1-x)Ge_x:H 薄膜低温晶化的影响。结果表明金层促进了非晶 Si_(1-x)Ge_x:H 薄膜在低温(～400℃) 的晶化。
会议录	第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107878]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	彭尚龙,唐泽国,沈晓彦,等. 低温金属诱导晶化a-Si_(1-x)Ge_x：H(0．25≤x≤1)薄膜[C]. 见:第十六届全国半导体物理学术会议.