双光子过程耗散耦合腔阵列中的量子相变

	双光子过程耗散耦合腔阵列中的量子相变
	熊芳; 冯晓强; 谭磊
刊名	物理学报
	2016
卷号	65 期号:4 页码:044205-01-044205-06
关键词	双光子过程耦合腔阵列超流-Mott绝缘相变准玻色子
中文摘要	基于准玻色方法, 利用平均场理论解析求解了环境作用下双光子过程耦合腔阵列体系的哈密顿量, 得到了体系序参量的解析表达式, 并讨论了耗散对体系超流-Mott绝缘相变的影响. 研究结果表明: 双光子共振情况下系统重铸相干的腔间耦合率临界值为(ZJ)/β= ((ZJ)/β)_c~'?0.34;双光子相互作用过程比单光子过程具有更大的耗散率, 系统维持长程相干状态的时间更短, 而实现重铸相干的腔间耦合率的临界值更大.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/186761]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	熊芳,冯晓强,谭磊. 双光子过程耗散耦合腔阵列中的量子相变[J]. 物理学报,2016,65(4):044205-01-044205-06.
APA	熊芳,冯晓强,&谭磊.(2016).双光子过程耗散耦合腔阵列中的量子相变.物理学报,65(4),044205-01-044205-06.
MLA	熊芳,et al."双光子过程耗散耦合腔阵列中的量子相变".物理学报 65.4(2016):044205-01-044205-06.