Study on electrical properties of n-type transparent and conductive Cdln(2)O(4) thin film and the optimum preparation parameters for large-area film

	Study on electrical properties of n-type transparent and conductive Cdln(2)O(4) thin film and the optimum preparation parameters for large-area film
	San, HS; Chen, C; He, YY; Wang, J; Feng, BX
刊名	ACTA PHYSICA SINICA/物理学报
	2005-04
卷号	54 期号:4 页码:1736-1741
关键词	radio-frequency reactive sputtering transparent and conductive CdIn2O4 thin films conductive mechanism bandgap narrowing
ISSN号	1000-3290
其他题名	n型透明导电薄膜CdIn_2O_4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件
通讯作者	Feng, BX (reprint author), Lanzhou Univ, Key Lab Magnetism & Magnet Mat, Minist Educ, Lanzhou 730000, Peoples R China.
中文摘要	在Ar +O2 气氛中 ,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2 O4 薄膜 .制得的薄膜经x射线衍射 (XRD)检测为CdIn2 O4 和CdO相组成的多晶 .从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用 .同时 ,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系 ,特别强调了弛豫时间的重要性 .为了提高导电膜的透射率 ,还分析了Burstein Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响 ,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度Ts≈ 2 80℃ .实验表明 ,在氧分压...
学科主题	Physics
语种	中文
WOS记录号	WOS:000228510600049
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/103939]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	San, HS,Chen, C,He, YY,et al. Study on electrical properties of n-type transparent and conductive Cdln(2)O(4) thin film and the optimum preparation parameters for large-area film[J]. ACTA PHYSICA SINICA/物理学报,2005,54(4):1736-1741.
APA	San, HS,Chen, C,He, YY,Wang, J,&Feng, BX.(2005).Study on electrical properties of n-type transparent and conductive Cdln(2)O(4) thin film and the optimum preparation parameters for large-area film.ACTA PHYSICA SINICA/物理学报,54(4),1736-1741.
MLA	San, HS,et al."Study on electrical properties of n-type transparent and conductive Cdln(2)O(4) thin film and the optimum preparation parameters for large-area film".ACTA PHYSICA SINICA/物理学报 54.4(2005):1736-1741.