Ion beam synthesis and electrical properties study of yttrium silicide

	Ion beam synthesis and electrical properties study of yttrium silicide
	Xie, EQ; Wang, WW; Jiang, N; He, DY
刊名	JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS/无机材料学报
	2002-07
卷号	17 期号:4 页码:708-712
关键词	yttrium silicide in-situ sheet resistance ion implantation
ISSN号	1000-324X
其他题名	钇硅化物的合成及相变研究
通讯作者	Xie, EQ (reprint author), Lanzhou Univ, Dept Phys, Lanzhou 730000, Peoples R China.
中文摘要	利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射（XRD）及卢瑟福背散射技术（RBS）得到了注入样品的结构相.结果显示,在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相,在随后的红外光辐照退火过程中,样品呈现出了取向生长的趋势.利用RBS的测量分析了注入层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布.利用四探针法对刚注入的样品进行了红外光辐照过程中的原位方块电阻测量,结果显示,当退火温度升到160℃时,样品中形成了斜方的YSi亚稳相;而240℃则对...
学科主题	Materials Science
语种	中文
WOS记录号	WOS:000177309800011
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/103729]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Xie, EQ,Wang, WW,Jiang, N,et al. Ion beam synthesis and electrical properties study of yttrium silicide[J]. JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS/无机材料学报,2002,17(4):708-712.
APA	Xie, EQ,Wang, WW,Jiang, N,&He, DY.(2002).Ion beam synthesis and electrical properties study of yttrium silicide.JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS/无机材料学报,17(4),708-712.
MLA	Xie, EQ,et al."Ion beam synthesis and electrical properties study of yttrium silicide".JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS/无机材料学报 17.4(2002):708-712.