基于Siwave与ADS的高频仿真

	基于Siwave与ADS的高频仿真
	刘肃; 闫胜刚; 王永
刊名	电子器件
	2013-12-20
期号	6 页码:7-9
关键词	DDR2存储器完整性问题 Siwave ADS 谐振分析阻抗分析 S参数 IBIS接口
其他题名	基于Siwave与ADS的高频仿真
中文摘要	在DDR2(Double Data Rate 2)存储器的供电网络和信号传输网络设计中,由于存储器的工作频率很高,所以不可避免的会遇到高频完整性问题。借助Siwave软件对相关电源网络,进行谐振分析和阻抗分析;借助ADS(Advanced Design System)软件对信号网络,进行S参数和IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)接口分析。在频率高于100 MHz时,电源阻抗大于2Ω,信号噪声也超过300 mV。通过添加去耦电容、改动走线等方法,能够减小阻抗,抑制信号噪声,把电源和信号噪声控制在5%以内。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102950]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘肃,闫胜刚,王永. 基于Siwave与ADS的高频仿真[J]. 电子器件,2013(6):7-9.
APA	刘肃,闫胜刚,&王永.(2013).基于Siwave与ADS的高频仿真.电子器件(6),7-9.
MLA	刘肃,et al."基于Siwave与ADS的高频仿真".电子器件 .6(2013):7-9.