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立方氮化硼薄膜的光学带隙
邓金祥; 汪旭洋; 姚倩; 周涛; 张晓康
刊名物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica
2008-10-15
卷号57期号:10页码:6631-6635
关键词立方氮化硼薄膜 光学带隙 K-K关系
ISSN号10003290
其他题名Optical band gap of cubic boron nitride thin films deposited by sputtering
通讯作者Deng, J.-X. (jdeng@bjut.edu.cn)
中文摘要用射频溅射法在p型Si(100)衬底上沉积立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识,用紫外-可见分光光度计测量了c-BN薄膜的反射光谱,利用K-K(Kramers-Kroning)关系从反射谱计算出c-BN薄膜的光吸收系数,进而确定c-BN薄膜的光学带隙.对于立方相含量为55.4%的c-BN薄膜,光学带隙为5.38 eV.
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102754]  
专题物理科学与技术学院_期刊论文
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GB/T 7714
邓金祥,汪旭洋,姚倩,等. 立方氮化硼薄膜的光学带隙[J]. 物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica,2008,57(10):6631-6635.
APA 邓金祥,汪旭洋,姚倩,周涛,&张晓康.(2008).立方氮化硼薄膜的光学带隙.物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica,57(10),6631-6635.
MLA 邓金祥,et al."立方氮化硼薄膜的光学带隙".物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica 57.10(2008):6631-6635.
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