氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能

	氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能
	王晓明; 谢二庆; 叶凡; 段辉高; 周明
刊名	功能材料与器件学报
	2008-08-25
期号	4 页码:844-847
关键词	直流溅射 HfNxOy薄膜场致电子发射
其他题名	氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能
中文摘要	利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能。扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相。场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大。文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论。电流-时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102743]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓明,谢二庆,叶凡,等. 氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能[J]. 功能材料与器件学报,2008(4):844-847.
APA	王晓明,谢二庆,叶凡,段辉高,&周明.(2008).氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能.功能材料与器件学报(4),844-847.
MLA	王晓明,et al."氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能".功能材料与器件学报 .4(2008):844-847.