采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜

	采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜
	朱秀红; 陈光华; 刘国汉; 丁毅; 何斌; 张文理; 马占洁; 郜志华; 李志中
刊名	人工晶体学报/Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals
	2006-12-30
卷号	35 期号:6 页码:1203-1208
关键词	微晶硅沉积速度晶化比孵化层稳定性
ISSN号	1000985X
其他题名	Preparation of high-quality hydrogenated microcrystalline silicon thin films using two-step-pressure method
通讯作者	Zhu, X.-H. (zhuxh@emails.bjut.edu.cn)
中文摘要	针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法。即先采用高压制备薄膜2m in,减小非晶转微晶的孵化层厚度,然后再采用低压制备薄膜18m in,提高薄膜的致密度及减小氧含量,最后制备出了光敏性较高,晶化比较大并且光照稳定性也较好的优质氢化微晶硅薄膜。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102624]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	朱秀红,陈光华,刘国汉,等. 采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜[J]. 人工晶体学报/Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals,2006,35(6):1203-1208.
APA	朱秀红.,陈光华.,刘国汉.,丁毅.,何斌.,...&李志中.(2006).采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜.人工晶体学报/Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals,35(6),1203-1208.
MLA	朱秀红,et al."采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜".人工晶体学报/Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals 35.6(2006):1203-1208.