衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响

	衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响
	陈浩; 邓金祥; 陈光华; 刘钧锴; 田凌
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	2005-12-08
卷号	26 期号:12 页码:2369-2373
关键词	立方氮化硼射频溅射衬底温度压应力 Radio frequency sputter Substrate temperature
ISSN号	02534177
其他题名	Influence of substrate temperature on preparation of c-BN thin films with wide energy gap
通讯作者	Chen, H.
中文摘要	用射频溅射设备,采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼(cBN)薄膜.研究了在其他条件不变的情况下,成核阶段衬底温度对制备cBN薄膜的影响.cBN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.研究发现:衬底温度是立方BN薄膜成核的一个重要参数;要得到一定立方相体积分数的薄膜,成核阶段衬底温度有一个阈值,成核阶段衬底温度低于400℃,薄膜中没有立方相的存在;衬底温度为400℃时,薄膜中开始形成立方相;衬底温度达到500℃时,得到了立方相体积分数接近100%的薄膜,并且薄膜中立方相体积分数随着成核阶段衬底温度的升高而增加.还研究了成核阶段衬底温度对薄膜立方相红外吸收峰峰位的影响...
学科主题	421 Strength of Building Materials; Mechanical Properties;712.1 Semiconducting Materials;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;812.1 Ceramics;921.4 Combinatorial Mathematics, Includes Graph Theory, Set Theory
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102549]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈浩,邓金祥,陈光华,等. 衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(12):2369-2373.
APA	陈浩,邓金祥,陈光华,刘钧锴,&田凌.(2005).衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,26(12),2369-2373.
MLA	陈浩,et al."衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 26.12(2005):2369-2373.