静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）

	静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）
	李思渊; 刘瑞喜; 刘肃; 杨建红; 李成
刊名	半导体技术
	1995-08-13
期号	4 页码:4
关键词	静电感应晶闸管特性分析
其他题名	静电感应晶闸管（SITH）的理论分析
中文摘要	首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。发现栅压对沟道势垒的控制是直接而灵敏的，为栅极强迫关断提供了物理基础，所得结果可使我们对ＳＩＴＨ作用机制的理解更加清楚，同时为器件的设计制造提供了参考依据。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102106]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,刘瑞喜,刘肃,等. 静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）[J]. 半导体技术,1995(4):4.
APA	李思渊,刘瑞喜,刘肃,杨建红,&李成.(1995).静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）.半导体技术(4),4.
MLA	李思渊,et al."静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）".半导体技术 .4(1995):4.