在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As_GaAs单量子阱特性

	在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As_GaAs单量子阱特性
	张福甲; 虎志明
刊名	半导体光电
	1994-05-15
期号	2 页码:6
关键词	GaAs（311）面单量子阱生长特性
其他题名	在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性
中文摘要	文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102054]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张福甲,虎志明. 在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As_GaAs单量子阱特性[J]. 半导体光电,1994(2):6.
APA	张福甲,&虎志明.(1994).在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As_GaAs单量子阱特性.半导体光电(2),6.
MLA	张福甲,et al."在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As_GaAs单量子阱特性".半导体光电 .2(1994):6.