GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析

	GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析
	张福甲; 李宝军; 卓肇龙
刊名	发光学报
	1993-06-30
期号	3 页码:247-252
关键词	Pd为基底的p-GaP欧姆接触俄歇能谱二次离子质谱
其他题名	GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析
中文摘要	本文用AES和SIMS分析讨论了p-GaP与三层金属膜Pd/Zn/Pd形成良好欧姆接触层的性质.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102019]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张福甲,李宝军,卓肇龙. GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析[J]. 发光学报,1993(3):247-252.
APA	张福甲,李宝军,&卓肇龙.(1993).GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析.发光学报(3),247-252.
MLA	张福甲,et al."GaP低阻欧姆接触层的AES和SIMS分析".发光学报 .3(1993):247-252.