热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响

	热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响
	蒋生蕊; 彭栋梁; 李斌; 王万录
刊名	真空科学与技术
	1993-05-01
期号	2 页码:124-129
关键词	热处理光电特性 CdIn_2O_4薄膜
其他题名	热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响
中文摘要	在Ar、O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-In合金靶,制备了透明导电CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜。研究了热处理对CIO薄膜的电学和光学性质的影响。实验结果表明,沉积后的热处理使CIO膜的电阻率均进一步减小,获得的薄膜最低电阻率为2.9×10~(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率约为90%。在CIO膜的透射和反射谱中,观察到大的Burstein移动,并根据CIO膜的光学数据计算的热处理前后的光隙能值分别为2.46eV和2.63eV。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102015]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋生蕊,彭栋梁,李斌,等. 热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响[J]. 真空科学与技术,1993(2):124-129.
APA	蒋生蕊,彭栋梁,李斌,&王万录.(1993).热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响.真空科学与技术(2),124-129.
MLA	蒋生蕊,et al."热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响".真空科学与技术 .2(1993):124-129.