电子束蒸发α-Si↓（1-x）Er↓x薄膜的光吸收特性

	电子束蒸发α-Si↓（1-x）Er↓x薄膜的光吸收特性
	甘润今; 张仿清; 刘国汉
刊名	无机材料学报
	1992-12-30
期号	4 页码:455-459
关键词	光吸收稀土非晶硅薄膜光学带隙
其他题名	电子束蒸发α-Si_(1-x)Er_x 薄膜的光吸收特性
中文摘要	本文研究了电子束蒸发的α-Si_(1-x)Er_x 薄膜的光吸收特性.其结果表明,薄膜的组分变化对近红外长波的吸收特性影响较大;光学带隙随组分 x_(Er) 的增大而变窄,由1.52eV 减小到约1.22eV;掺入适量的 Er 能部分地补偿 a-Si 薄膜中的硅悬挂键.本文还利用 Cody 的无序理论,结合 T.Oestereich 等人对 a-Si∶H∶Er 薄膜的光致发光研究,对实验结果进行了分析讨论.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101997]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	甘润今,张仿清,刘国汉. 电子束蒸发α-Si↓（1-x）Er↓x薄膜的光吸收特性[J]. 无机材料学报,1992(4):455-459.
APA	甘润今,张仿清,&刘国汉.(1992).电子束蒸发α-Si↓（1-x）Er↓x薄膜的光吸收特性.无机材料学报(4),455-459.
MLA	甘润今,et al."电子束蒸发α-Si↓（1-x）Er↓x薄膜的光吸收特性".无机材料学报 .4(1992):455-459.