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用双束溅射法在不同基片上淀积DLC膜的研究
王维洁; 王天民; 刘贵昂; 黄良甫; 罗崇泰; 杨一民; 刘定权; 徐明
刊名兰州大学学报
1992-07-01
期号2页码:66-70
关键词薄膜生长 结构 性能 双离子束溅射淀积 DLC 膜
其他题名用双束溅射法在不同基片上淀积DLC膜的研究
中文摘要用双离子束溅射法,在单晶硅、玻璃、Mo 及不锈钢表面淀积了类金刚石碳膜.研究了轰击离子源能量、束流及其氢/氩气流量比对薄膜性能的影响.结果表明,淀积膜是一种键参数发生变化、由 sp~2键和 sp~3键混合组成的无序网络结构,其中局域形成立方金刚石微晶.随上述各可变参量的增大,薄膜电阻率及淀积了薄膜的玻璃片在1.5~5.5μm 红外区的相对透过率有一先增大后减小的规律.基体和膜粘结致密、无气孔.对所得结果进行了讨论.
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101966]  
专题物理科学与技术学院_期刊论文
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GB/T 7714
王维洁,王天民,刘贵昂,等. 用双束溅射法在不同基片上淀积DLC膜的研究[J]. 兰州大学学报,1992(2):66-70.
APA 王维洁.,王天民.,刘贵昂.,黄良甫.,罗崇泰.,...&徐明.(1992).用双束溅射法在不同基片上淀积DLC膜的研究.兰州大学学报(2),66-70.
MLA 王维洁,et al."用双束溅射法在不同基片上淀积DLC膜的研究".兰州大学学报 .2(1992):66-70.
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