InAs_GaAs柱形岛的制备及特性研究

	InAs_GaAs柱形岛的制备及特性研究
	朱天伟; 徐波; 何军; 赵凤瑷; 张春玲; 谢二庆; 刘峰奇; 王占国
刊名	物理学报
	2004-01-11
期号	1 页码:301-305
关键词	柱形岛生长停顿间隔层厚度 PL谱
中文摘要	利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs_GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到 1 32和 1 4 μm ,而单层量子点的发光波长仅为 1 1μm ,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响 ,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法 .
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101556]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	朱天伟,徐波,何军,等. InAs_GaAs柱形岛的制备及特性研究[J]. 物理学报,2004(1):301-305.
APA	朱天伟.,徐波.,何军.,赵凤瑷.,张春玲.,...&王占国.(2004).InAs_GaAs柱形岛的制备及特性研究.物理学报(1),301-305.
MLA	朱天伟,et al."InAs_GaAs柱形岛的制备及特性研究".物理学报 .1(2004):301-305.