a-SiC:H薄膜的中子辐照研究

	a-SiC:H薄膜的中子辐照研究
	刘贵昂; 谢二庆; 王天民
刊名	强激光与粒子束/Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams
	2003-03-25
卷号	15 期号:3 页码:271-274
关键词	a-SiC:H薄膜中子辐照非晶碳石墨化 a-SiC:H films Amorphous carbons Irradiation effect
ISSN号	10014322
其他题名	Irradiation effect of neutrons on a-SiC: H films
通讯作者	Liu, G.-A. (liuga888@sohu.com)
中文摘要	用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a SiC:H薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14MeV)进行辐照。采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征。分析结果表明:所得a SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳。随着中子辐照剂量的增加,a SiC:H薄膜中SP2C=C键增加,即其中的碳存在类石墨化的趋势。中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象,可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释。
学科主题	741.1 Light/Optics;804.2 Inorganic Compounds;813.1 Coating Techniques;932.1 High Energy Physics
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101503]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘贵昂,谢二庆,王天民. a-SiC:H薄膜的中子辐照研究[J]. 强激光与粒子束/Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams,2003,15(3):271-274.
APA	刘贵昂,谢二庆,&王天民.(2003).a-SiC:H薄膜的中子辐照研究.强激光与粒子束/Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams,15(3),271-274.
MLA	刘贵昂,et al."a-SiC:H薄膜的中子辐照研究".强激光与粒子束/Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams 15.3(2003):271-274.