基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制

	基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制
	周建林; 张福甲
刊名	光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser
	2008-12-15
卷号	19 期号:12 页码:1602-1605
关键词	有机场效应晶体管(OFET) 双绝缘层 PTCDI-C12 n型 Active layers Anodization techniques Double insulators Electrical performance Low operating voltages Low voltages n-type On/off current ratios Organic field-effect transistor(OFET) PTCDI-C12 Spin-coating methods Top contacts
ISSN号	10050086
其他题名	Low voltage n-type OFET based on double insulators
通讯作者	Zhou, J.-L.
中文摘要	采用顶接触结构研制了以Ta2O5/PMMA为绝缘层,有机材料PTCDI-C12为有源层的低电压n型有机场效应晶体管。其中Ta2O5薄膜采用阳极氧化方法制备,PMMA薄膜通过溶液旋涂法制备。与基于单一Ta2O5绝缘层的器件相比,双绝缘层器件的电学性能大幅提高。经测试得到器件场效应电子迁移率为0.063 cm2/Vs,开关电流比为1.7×104,阈值电压为2.3 V。
学科主题	543.4 Tantalum and Alloys;712.1 Semiconducting Materials;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;933 Solid State Physics
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101458]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	周建林,张福甲. 基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制[J]. 光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser,2008,19(12):1602-1605.
APA	周建林,&张福甲.(2008).基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制.光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser,19(12),1602-1605.
MLA	周建林,et al."基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制".光电子·激光/Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser 19.12(2008):1602-1605.