a-Ge:H薄膜电学性质的研究

	a-Ge:H薄膜电学性质的研究
	王印月; 王辉耀; 陈光华
刊名	兰州大学学报
	1994-09-22
期号	3 页码:3
关键词	氢化非晶锗电导率光吸收谱反应溅射射频功率
其他题名	a─Ge：H薄膜电学性质的研究
中文摘要	用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜的电学性质：研究了射频功率和退火温度对ａ－Ｇｅ：Ｈ膜电学性质的影响．所得结果为ａ－Ｇｅ：Ｈ的应用提供了一定的依据。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101368]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,王辉耀,陈光华. a-Ge:H薄膜电学性质的研究[J]. 兰州大学学报,1994(3):3.
APA	王印月,王辉耀,&陈光华.(1994).a-Ge:H薄膜电学性质的研究.兰州大学学报(3),3.
MLA	王印月,et al."a-Ge:H薄膜电学性质的研究".兰州大学学报 .3(1994):3.