稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究

	稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究
	彭爱华; 谢二庆; 姜宁; 张志敏; 李鹏; 贺德衍
刊名	物理学报
	2003-07-11
期号	7 页码:1792-1796
关键词	多孔硅稀土掺杂光致发光
其他题名	稀土(Tb;Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究
中文摘要	用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Tb ,Gd)离子的化学掺杂 .利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性 .用扫描电子显微镜研究了薄膜的表面形貌 .用卢瑟福背散射谱分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .结果表明 ,Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度 ,并且发光峰位出现蓝移 .这是由于Tb3+ 的 4f能级5D4 —7F3,5D4 —7F2 和5D4 —7F0 的跃迁发光引起的 .而在掺入Gd情况下 ,则观察到蓝光发射 .初步分析了稀土掺杂多孔硅的发光机理 .
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101325]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	彭爱华,谢二庆,姜宁,等. 稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究[J]. 物理学报,2003(7):1792-1796.
APA	彭爱华,谢二庆,姜宁,张志敏,李鹏,&贺德衍.(2003).稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究.物理学报(7),1792-1796.
MLA	彭爱华,et al."稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究".物理学报 .7(2003):1792-1796.