| 题名 | 掺镓物理法多晶硅铸锭研究; Research of a Ga-doping Mc-Si Ingot Made of Physical Method Silicon |
| 作者 | 吴鹏 |
| 答辩日期 | 2015 ; 2013 |
| 导师 | 高文秀 |
| 关键词 | 物理法 多晶硅铸锭 镓 电阻率 反型 Physical method Multicrystalline silicon ingot Gallium Resistivity Transoid |
| 英文摘要 | 随着光伏市场的逐渐沉寂和全球大环境的低迷，控制成本成为各家企业至关重要的一环。物理法制备太阳能级多晶硅新工艺技术由于其能耗低、成本低、污染低，受到国内外的广泛重视，逐渐为各企业采用。物理法硅料中磷硼元素同时存在导致硅锭电阻率分布不均匀产生反型造成损失。为了改善物理法多晶硅的反型问题，本文研究了在工业生产规模物理法多晶硅料铸锭中掺入镓元素的效果。 实验中首先挑选了4批物理法多晶硅料，共计580kg。将测量好的每批硅料的磷硼含量进行加权平均计算，得到总硅料中大概的磷硼含量值。利用分凝公式估算出硅锭中磷硼分布情况以及所需镓含量，本实验掺入镓3.5g。 采用德国PVATePla多晶硅铸锭炉进行铸锭...; As the downturn in global PV market and economic environment, the controlling of costs becomes the vital part to each PV companies. Physical Method (UMG-Si) has been a hot research for its low energy consumption and cost,and it was gradually applied by the companies. However a distinctive characteristic of UMG-Si is that it contains a large amount of both boron and phosphorus,leading to large res...; 学位：理学硕士; 院系专业：能源研究院_光伏工程; 学号：32420101152087 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=39890 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/96824]  |
| 专题 | 能源院－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴鹏. 掺镓物理法多晶硅铸锭研究, Research of a Ga-doping Mc-Si Ingot Made of Physical Method Silicon[D]. 2015, 2013. |
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