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题名	低维InGaN/GaN材料发光特性研究; Investigation of Light Emission Properties in Low-dimensional InGaN/GaN Materials
作者	赵婉茹
答辩日期	2016-03-22 ; 2015-05-18
导师	张保平
关键词	InGaN/GaN量子点、光致发光、半极性InGaN/GaN多量子阱、阴极荧光、电致发光、I-V特性 InGaN/GaN QDs, PL, semi-polar InGaN/GaN QWs, CL, EL, I-V
英文摘要	GaN基材料是宽禁带、直接带隙的半导体材料，具有十分优异的光电特性以及稳定的化学性能，已被广泛的应用于信息指示、全彩显示和照明领域。作为GaN基光电子器件的核心部分，采用InGaN/GaN低维材料作为有源区成为当前的研究热点。围绕其生长和发光特性，至今进行了大量的研究。目前，低In组分InGaN/GaN低维材料的质量和发光效率已经得到了较大的提高，然而对于高In组分InGaN/GaN低维材料发光性质的研究却相对滞后，这是因为高In组分的InGaN/GaN低维材料中由于较大的晶格失配，会产生较大的极化电场和较多的缺陷。较大的极化电场会引起较强的量子限制斯塔克效应（QCSE）效应，使电子空穴波函数...; GaN-based materials are direct wide band-gap semiconductor with excellent photoelectric properties and stable chemical performance. They are being widely used in the field of signal indication, color display and solid-state lighting. As the core part of GaN-based optoelectronic devices, using InGaN/GaN low-dimensional materials as active region has already become a hot topic. Many studies have bee...; 学位：工学硕士; 院系专业：信息科学与技术学院_物理电子学; 学号：23120121152907
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=49789
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134897]
专题	信息技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	赵婉茹. 低维InGaN/GaN材料发光特性研究, Investigation of Light Emission Properties in Low-dimensional InGaN/GaN Materials[D]. 2016, 2015.

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