题名 | Nd:YVO4/Cr4+:Y3Al5O12被动调Q微片激光器直接产生高阶横模激光性能研究; Study on Direct Generation of High-Order Transverse Modes in Nd:YVO4/Cr4+:Y3Al5O12 Passively Q-swiched Microchip Lasers |
作者 | 贺瑜 |
答辩日期 | 2016-12-23 ; 2016-05-19 |
导师 | 董俊 |
关键词 | Nd:YVO4 Cr4+:Y3Al5O12 微片激光器 IG模式 LG模式 HG模式 Nd:YVO4 Cr4+:Y3Al5O12 microchip lasers IG modes LG modes HG modes |
英文摘要 | Ince-Gaussian(IG)光束是椭圆坐标系下,平面波动方程(PWE)的准确正交解,它与Laguerre-Gaussian(LG)光束和Hermite-Gaussian(HG)光束共同构成了PWE的完整解,LG光束和HG光束是IG光束的椭圆常数分别为0和∞时的两种特定情况。IG模式与LG光束与HG光束相比其光场横向分布更具多样性,且螺旋IG(HIG)模式的光场携带了多个椭圆涡旋与一定的轨道角动量,因此在多个领域具有非常广阔的应用潜力。比如作为光钳用来限制和操控微粒、生物细胞和化学分子。椭圆涡旋还可以限制和操控低温原子,引导冷却光子等。涡旋光束携带的轨道角动量更可被用于光通信以及信息解码。...; Ince-Gaussian (IG) beam is the orthogonal solution in the elliptical coordinate system of the paraxial wave equation (PWE). IG, Laguerre-Gaussian (LG) and Hermit-Gaussian (HG) beams form complete families of orthogonal solution of the PWE. LG modes and HG modes are two particular situations when the ellipticity of IG modes are 0 and ∞, respectively. The IG mode lasers have wide potential applicati...; 学位:工学硕士; 院系专业:信息科学与技术学院_工程硕士(电子与通信工程); 学号:23120131153121 |
语种 | zh_CN |
出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=57458 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134891] |
专题 | 信息技术-学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺瑜. Nd:YVO4/Cr4+:Y3Al5O12被动调Q微片激光器直接产生高阶横模激光性能研究, Study on Direct Generation of High-Order Transverse Modes in Nd:YVO4/Cr4+:Y3Al5O12 Passively Q-swiched Microchip Lasers[D]. 2016, 2016. |
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