| 题名 | 超薄GOI材料的制备及HfO2/Ge界面态研究; Fabrication of ultra thin GOI and analysis of interface state between HfO2 and Ge |
| 作者 | 蓝小凌 |
| 答辩日期 | 2016-12-20 ; 2016-05-14 |
| 导师 | 李成 |
| 关键词 | 锗浓缩 超薄GOI 电子束曝光 HfO2 界面态密度 germanium condensation ultra thin GOI electron beam lithography HfO2 interface state density |
| 英文摘要 | 为了满足集成电路等比例缩小规则的要求，具有克服短沟道效应的超薄GOI材料和HfO2高K介质在未来CMOS小型化中具有很好的应用前景，可以显著提高器件性能。制备超薄的高质量GOI材料和降低HfO2与Ge之间的界面态密度是提高GeMOSFET器件性能面临的主要挑战，本论文围绕着如何减薄平整化GOI材料，制备超薄GOI纳米带和减小HfO2与Ge之间的界面态而展开工作，其主要工作内容和创新点如下： 1、基于两步控温的锗浓缩技术制备出19nm厚的GOI材料，分析了压应变和位错密度在锗浓缩过程中的变化，提出采取多步变温，或者在氧化过程中通过降低O2的流量来减缓反应速度以实现高质量GOI材料制备的建议。通...; In order to meet the requirements of integrated circuit scaling law, the ultra thin GOI which possesses superior short channel effect immunity and HfO2 high-k dielectric are the suitable candicates for CMOS further ministurization. However, preparing ultra thin GOI with high quality and reducing the interface state between HfO2 and Ge are still the big challenges to improve the performance of Ge M...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理科学与技术学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820121152778 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=55941 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134348]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蓝小凌. 超薄GOI材料的制备及HfO2/Ge界面态研究, Fabrication of ultra thin GOI and analysis of interface state between HfO2 and Ge[D]. 2016, 2016. |
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