| 题名 | III族氮化物材料弱极性晶面量子阱的生长及其光电特性的研究; Research on Growth and Optical Properties of Semipolar III-Nitrides Nanostructures |
| 作者 | 曾凡明 |
| 答辩日期 | 2016-12-20 ; 2016-09-12 |
| 导师 | 刘宝林 |
| 关键词 | III族氮化物半导体 弱极性晶面 量子阱结构 SAE外延技术 组分渐变 III-nitrides semipolar quantum wells SAE indium-graded technique |
| 英文摘要 | III族氮化物半导体材料具有许多优良的性质，其纤锌矿结构晶体具有宽禁带，直接带隙，化学特性稳定，耐高温，质地坚硬等特点。近十几年对其的研究取得了瞩目的成果，商业价值巨大。具体应用包括显示，照明，存储，探测器，通讯，农作物生长照明，医疗健康，以及电力电子器件等领域。尽管如此，III族氮化物材料在发光器件应用领域仍然面临许多需要解决的问题，例如：电极化效应，高缺陷密度，光提取效率低，droop效应，GreenGap等。 为了改善上述问题，科研人员提出了多种研究方案，其中采用弱极性量子阱结构是比较有前景的研究方向之一。弱极性量子阱具有阱内极化电场较小，发光效率高，适合制作长波段器件，droop效应...; III-nitrides and their alloys are highly attractive materials due to their superior properties of wurtzite crystalline structure, including direct and wide bandgap, high thermostability, chemically stable, hard texture, etc. Remarkable progresses on scientific research have been achieved in past decades, and commercial devices have been overwhelmingly accepted by the markets, revealing of their hi...; 学位：工学博士; 院系专业：物理科学与技术学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820120153906 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=58604 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134242]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾凡明. III族氮化物材料弱极性晶面量子阱的生长及其光电特性的研究, Research on Growth and Optical Properties of Semipolar III-Nitrides Nanostructures[D]. 2016, 2016. |
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