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题名	AlInGaN/GaN PIN 紫外光电探测器的研究; Investigation of AlInGaN/GaN PIN Ultraviolet Photodiodes
作者	洪灵愿
答辩日期	2005 ; 2005
导师	刘宝林
关键词	AlInGaN/GaN PIN 紫外光电探测器 AlInGaN/GaN PIN ultraviolet photodiode
英文摘要	摘要紫外光电探测器在航空、军事、民用等领域里具有非常重要的应用，本论文结合科研项目，进行了PIN结构紫外光电探测器的理论研究和实验制备。所做的研究工作如下：1、目前，GaN基紫外光电探测器一般采用AlGaN/GaN材料来制备，但是AlGaN与GaN之间晶格失配导致外延层位错密度较高，所以，我们提出用晶格常数和禁带宽度可以独立变化的AlInGaN四元合金代替AlGaN作为探测器的有源层。2、用MOCVD系统生长了与GaN晶格基本匹配的AlInGaN材料，通过X射线衍射分析该AlInGaN材料有较高的晶体质量。结合PL谱的测量，从理论上算出了该AlInGaN材料的组分为Al0.080In0.018...; Abstract Ultraviolet photodiodes have the important applications in many fields, such as, navigate, military, some civil industries, this paper analyzes and makes a PIN photodiode both in theory and experiment. Main works include: 1. In recent year, GaN-based ultraviolet photodiodes are usually made with AlGaN/GaN materials, but the mismatch between AlGaN and GaN leads to the high ...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：200224013
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=10736
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54958]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	洪灵愿. AlInGaN/GaN PIN 紫外光电探测器的研究, Investigation of AlInGaN/GaN PIN Ultraviolet Photodiodes[D]. 2005, 2005.

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