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题名	高质量Si基Ge材料外延生长及其MOS结构界面特性研究; Epitaxial growth of high quality Si-based Ge materials and interface properties of Ge MOS structures
作者	郑元宇
答辩日期	2011 ; 2011
导师	李成
关键词	低温Ge缓冲层 SiGe/Ge多量子阱 原位掺杂 Si基Ge MOS结构 氧化物/Ge界面 low temperature Ge buffer SiGe/Ge MQW in situ doping Si-based Ge MOS structure oxide/Ge interface
英文摘要	Si基Ge材料具有较高的载流子迁移率，并且与传统硅工艺相兼容，是未来制备先进CMOS器件和Si基光电子器件的理想材料之一。然而，由于Si与Ge之间晶格失配度大，在Si衬底上外延生长高质量的Ge材料仍然是一个重大的挑战。在GeMOS器件的制备过程中，栅介质/Ge界面处极易形成锗氧化物(GeOx)，引入较高的界面态，使器件性能退化。因此，研究高质量Si基Ge材料外延生长和控制栅介质/Ge界面态技术对制备高性能Si基GeMOS器件具有重要的意义。 本论文首先采用UHV/CVD系统，在Si衬底上外延生长出高质量的Ge材料，研究了降低Ge外延层位错密度的方法及机理；在此基础上，利用热氧化Si盖帽层制备...; Due to the high carrier mobilities and the compatibility with silicon microelectronics technology, Si-based Ge is considered to be one of the promising materials for advanced CMOS devices and Si-based optoelectronic devices in the future. However, epitaxial growth of high-quality Ge films on Si substrates is still a challenge because of the large lattice mismatch between them. During the fabricati...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：19820081153005
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=30852
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55079]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郑元宇. 高质量Si基Ge材料外延生长及其MOS结构界面特性研究, Epitaxial growth of high quality Si-based Ge materials and interface properties of Ge MOS structures[D]. 2011, 2011.

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