| 题名 | ICP刻蚀SiC机制及表面损伤的研究; Mechanism and Surface Damage in Inductively Coupled Plasma Etching of SiC |
| 作者 | 吕英 |
| 答辩日期 | 2008 ; 2008 |
| 导师 | 吴正云 |
| 关键词 | 4H-SiC ICP刻蚀 CF4/O2 表面损伤 4H-SiC ICP etch CF4/O2 surface damage |
| 英文摘要 | 刻蚀是SiC器件制备过程中的一项关键工艺。由于SiC材料的高硬度及稳定的化学性质，普通的湿法刻蚀无法获得可行的刻蚀速率。目前，常采用的SiC刻蚀方法多为等离子体干法刻蚀，其中，ICP刻蚀由于具有可同时提供较高的等离子体密度及独立的衬底偏压源控制的特点，在较低的衬底偏压下即可获得合适的刻蚀速率，从而可以获得较低的刻蚀损伤，因此ICP刻蚀在SiC器件制备中得到广泛的应用。 本文采用CF4/O2作为刻蚀气体，研究了不同刻蚀参数（包括：工作压强、ICP源功率、偏压源功率及O2流量）下ICP刻蚀SiC的刻蚀速率的变化。实验结果显示，在高ICP源功率、高偏压源功率及合适的O2含量（这里为25%）、工作压...; Etching is a key process for SiC device fabrication. Due to its hardness and chemical inertness, wet chemical etch has been proven to be incompatible with device processing. Dry etching is, therefore, playing a critical role in processing SiC devices. Among several dry etch methods, Inductively Coupled Plasma (ICP) etching has been widely applied in the SiC device process, because it provides much...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：20051301645 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=18835 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54695]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕英. ICP刻蚀SiC机制及表面损伤的研究, Mechanism and Surface Damage in Inductively Coupled Plasma Etching of SiC[D]. 2008, 2008. |
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