| 题名 | 异质结带阶计算简化模型及应用与磁场下单量子阱中电子的能带结构; Simplified model of calculating heterojunctionband |
| 作者 | 廖任远 |
| 答辩日期 | 2001 ; 2001 |
| 导师 | 蔡淑惠 |
| 关键词 | 异质结 带阶 能带结构 heterojunction band offset energy band structure |
| 英文摘要 | 本论文的工作可分两部分。第一部分是关于异质结带阶的研究。第二部分研究周期性磁场下单量子阱中电子的能带结构。 在带阶研究中，我们主要对应变层异质结的带阶进行研究。首先采用基于密度泛函理论框架下的模守恒赝势法计算得到体半导体材料的能带结构，接着我们把平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带带阶研究。通过平均带阶参数形变势和研究带阶参数随应变状态的变化关系，发现平均带阶参数在不同应变状态下基本上保持不变，从而建立了异质结带阶计算的简化模型。这样，在应变层带阶参数的计算中，只需计算其应变前体材料的带阶参数值并引用形变势和SO裂距的实验值，通过简便的代数运算即可得到应变层，从而方便地预测不同应变...; This thesis consists of two parts. In the first part we studied band offsets of heterojunctions. In the second part the electronic band structure of single quantum well in periodic magnetic field was investigated. In the study of band offset, we focused our attention on the band offsets of strained-layer heterojunctions. Firstly, we made use of norm-conserving pseudopotentials within local-de...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_理论物理; 学号：199824008 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=2151 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54764]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖任远. 异质结带阶计算简化模型及应用与磁场下单量子阱中电子的能带结构, Simplified model of calculating heterojunctionband[D]. 2001, 2001. |
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