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题名	III族氮化物半导体中极化场的调控; Modification of polarization field in III-nitride semiconductors
作者	李金钗
答辩日期	2008 ; 2008
导师	康俊勇
关键词	III族氮化物半导体 极化场调控 MOVPE技术 p型掺杂 量子能级 第一性原理计算 III-nitride semiconductors Modification of polarization field MOVPE technique p-type doping Quantized level The first-principles calculation
英文摘要	III族氮化物半导体在短波长高亮度发光二极管、高功率激光器、高灵敏度光探测器、以及高温大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。不同于传统的III-V族化合物半导体，纤锌矿结构的III族氮化物半导体具有极强的自发极化和压电极化效应。极化效应在III族氮化物的应用中起着双刃的作用，既有其危害处也有其得利处。对III族氮化物半导体中的极化场加以调控，避其短扬其长，是人们渴望深入了解的课题。本论文围绕III族氮化物半导体的极化效应和极化场调控，结合第一性原理计算方法、MOVPE生长技术、材料的结构和性能测试，着重从理论设计和MOVPE外延生长两方面开展了系统的研究，主要取得如下研究成果：首次提出并构建...; III-nitride semiconductors are very promising materials for their applications in optoelectronic devices (both emitters and detectors) and high power/temperature electronic devices. Being non-centro-symmetric and high degree ionicity, wurtzite III-nitrides exhibit strong spontaneous and piezoelectric polarization effects, which influence carrier distributions, electric fields, and consequently a w...; 学位：工学博士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_微电子学与固体电子学; 学号：B200424019
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=20676
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54877]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李金钗. III族氮化物半导体中极化场的调控, Modification of polarization field in III-nitride semiconductors[D]. 2008, 2008.

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