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题名	ZnO薄膜在Si(100)衬底上的制备及性能研究; Preparation and Properties of ZnO on Si(100)
作者	金昌连
答辩日期	2013 ; 2013
导师	詹华瀚
关键词	MBE 超晶格缓冲层 Si(100)衬底 MBE superlattice buffer layers Si substrates
英文摘要	近年来，氧化锌(ZnO)是继氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)后，受到广泛研究的新型宽禁带半导体材料，ZnO基半导体由于具有较宽的禁带宽度(3.37eV)和较大的激子束缚能(60meV)等特点，使得其在发光二极管和激光器等诸多器件中有着明显的优势，正因为如此，所以其高质量ZnO单晶薄膜的制备为当今半导体研究的热点。 本文在硅衬底Si(100)-2×1再构的基础上，利用分子束外延(MBE)在硅衬底上生长ZnO薄膜，通过引入超晶格ZnO/MgO缓冲层、超晶格ZnO/ZnMgO缓冲层、超晶格MgO/ZnMgO缓冲层、改变氧功率以及生长气压等条件，探讨调控ZnO薄膜晶体结构和提高ZnO薄膜质量的方法...; In recent years, new wide bandgap semiconductor material zinc oxide (ZnO) has been extensively studied after gallium nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC). Besides the wide band gap, ZnO-based semiconductors posses large exciton binding energy and so on, and have a distinct advantage in light-emitting diodes, lasers and other devices. Therefore the growth of high-quality ZnO single crystal thin ...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院_凝聚态物理; 学号：19820101152821
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=40239
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/79107]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	金昌连. ZnO薄膜在Si(100)衬底上的制备及性能研究, Preparation and Properties of ZnO on Si(100)[D]. 2013, 2013.

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