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题名	MgO(111)衬底上ZnO薄膜的生长和性能; Growth and properties of ZnO thin films on MgO(111) substrates
作者	杜达敏
答辩日期	2013 ; 2013
导师	王惠琼
关键词	MBE ZnO缓冲层 XAFS MBE ZnO buffer layer XAFS
英文摘要	半导体ZnO室温下的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，使其在紫外发光二极管、太阳能电池和激光器等方面有着广泛的应用前景，成为继GaN之后受到广泛研究的第三代宽禁带直接带隙半导体材料，纳米半导体材料制备工艺决定着材料的结构和性质，是高性能器件的基础，如何制备高质量的单晶ZnO薄膜已成为当前材料研究领域的热点。 本文利用分子束外延(MBE)技术在单晶MgO(111)衬底上生长ZnO薄膜，通过引入ZnO同质缓冲层，系统研究了ZnO薄膜的外延生长和结构及其电学特性。由于ZnO(0001)跟MgO(111)衬底具有相同的正六边形结构，ZnO薄膜为沿C轴单域高取向生长，RHEED和X射线...; ZnO, extensively studied after GaN, has been considered as a promising material in the fields of ultraviolet light-emitting diodes, solar cells and short wavelength lasers owing to its direct wide band gap and large exciton binding energy of 60 meV. The preparation of high-quality ZnO films is desirable for high performance device and thus is of great significance. We use molecular-beam epitaxy t...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院_凝聚态物理; 学号：19820101152820
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=40604
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/79038]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杜达敏. MgO(111)衬底上ZnO薄膜的生长和性能, Growth and properties of ZnO thin films on MgO(111) substrates[D]. 2013, 2013.

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