| 题名 | Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析; Fabrication and Characterization of Germanium Channel Schottky Barrier MOSFET |
| 作者 | 张茂添 |
| 答辩日期 | 2014 ; 2014 |
| 导师 | 李成 |
| 关键词 | HfO2/Ge，肖特基势垒，掺杂浓度，开态电流，关态电流，迁移率 HfO2/Ge, Schottky barrier, doping concentration, on-state current, off-state current, mobility |
| 英文摘要 | 随着半导体技术的不断发展，SiMOSFET器件的小型化日益接近其物理极限，而具有高迁移率的Ge材料和HfO2等高κ介质由于其在未来MOSFET技术中的应用前景得到研究者的广泛关注。各种新结构GeMOSFET器件中，肖特基源漏场效应晶体管（SB-MOSFET）因为在源漏浅结的制造、源漏接触电阻的降低、制备温度的降低和制备工艺的简化等方面具有优势而成为了研究的热点。 本文首先通过仿真模拟分析了SB-MOSFET的特性和工作原理，并分别设计了传统pn结源漏MOSFET和SB-MOSFET两种器件的结构、工艺及版图。分别以体Ge、体Si、绝缘体上Ge材料（germaiumoninsulator,GO...; With downscaling of MOSFET to its physical limitation, germanium has been extensively investigated as channel material to replace Si due to its high carrier mobilities. Schottky barrier MOSFET is expected for the competitive MOSFET devices due to its advantages of shallow junction preparation, low resistance contact preparation, low temperature process and process simplification. Ge SB-MOSFETs w...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_微电子学与固体电子学; 学号：19820111152877 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=44220 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/84075]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张茂添. Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析, Fabrication and Characterization of Germanium Channel Schottky Barrier MOSFET[D]. 2014, 2014. |
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