| 题名 | 激光拉曼光谱技术现场研究硅的刻蚀; In situ Laser Raman Spectroscopic Study on the Etching Processes of the Silicon |
| 作者 | 刘峰名 |
| 答辩日期 | 2017-05-18 ; 1998-11-06 |
| 导师 | 田中群 |
| 关键词 | 暂缺 no |
| 英文摘要 | 硅是应用最广泛研究最系统和深入的半导体材料，人们一直进行着不懈的 努力，以便从更深层次上认识硅的性质，进一步发掘其应用的潜力从而得到性 能更好的硅基微光电子器件和微电机械系统.由于硅表面的键合形式如Si: O，Si:H，Si:F)明显影响甚至决定了硅的一系列物理和化学性质以及随后对它 的加工工艺，因此，对硅表面结构和刻蚀过程的正确表征以及有选择性地控制表 面的键合形式成了认识硅和加工硅的关键.谱学技术(如IR，EELS，Raman光谱) 具有表征具体分子的能力，是研究半导体表面的重要手段，但由于硅刻蚀加工的 条件苛刻，例如需要腐蚀性强的溶液，这给应用谱学技术进行现场研究带来了很 ...; 学位：理学硕士; 院系专业：化学化工学院_物理化学(含化学物理); 学号：199525018 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=3495 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/130134]  |
| 专题 | 化学化工－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘峰名. 激光拉曼光谱技术现场研究硅的刻蚀, In situ Laser Raman Spectroscopic Study on the Etching Processes of the Silicon[D]. 2017, 1998. |
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