| 题名 | 碳纳米管-硅纳米线的异质结阵列的制备及硅纳米线外延生长机理; Preparation of Carbon nanotube-Silicon nanowires heterojunction array and the expitaxy mechanism of growing silicon nanowires |
| 作者 | 辜驰 |
| 答辩日期 | 2005 ; 2005 |
| 导师 | 杨勇 |
| 关键词 | 氧化铝模板 碳纳米管 硅纳米线 纳米单晶 外延生长 AAO template Carbon nanotubes array, Silicon nanowires Vapor-Liquid-Solid(VLS) mechanism Epitaxial mechanism |
| 英文摘要 | 一维纳米复合碳－硅材料阵列在电子学，电化学，光学领域的研究越来越引起人们的重视。而碳纳米管－硅纳米线异质结阵列的结构特殊，如它以机械强度极高且金属性的碳纳米管为支持，结合纳米半导体硅纳米线为官能端。这种碳纳米管-硅纳米线阵列结构通过有序阵列方式可以构筑在电极集流体的表面，适用于制备场效应管；此外，它具有很大的比表面，对活性物质的反应灵敏,适合于微量物质检测的传感器；值得一提的是，我们可以通过研究纳米硅结构的量子限域效应，从而使硅纳米线的发光制备光电元器件。本文用阳极氧化铝模板法制备了碳纳米管阵列模板，并利用碳纳米管阵列在其管端进一步选择生长一维硅纳米线，并研究了这种条件下合成的硅纳米线的特殊晶...; One-dimension nano-carbon composites are generating a great deal of interest for their potential applications in electronics, electrochemistry, and photo-electrics for their distinctive structures and properties. However, the carbon nanotubes-silicon nanowires heterojunction array has very unusual physical can electrical properties due to the combination of both the semiconductor silicon tip and h...; 学位：理学硕士; 院系专业：化学化工学院化学系_物理化学(含化学物理); 学号：200125073 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=8282 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/35341]  |
| 专题 | 化学化工－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辜驰. 碳纳米管-硅纳米线的异质结阵列的制备及硅纳米线外延生长机理, Preparation of Carbon nanotube-Silicon nanowires heterojunction array and the expitaxy mechanism of growing silicon nanowires[D]. 2005, 2005. |
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