| 题名 | 硫属 mGeTe•nSb2Te3 化合物的电子结构与输运性质研究; Electronic structure and thermal transport properties of Chalcogenide mGeTe•nSb2Te3 compounds |
| 作者 | 潘元春 |
| 答辩日期 | 2016-03-23 ; 2015-05-20 |
| 导师 | 孙志梅 |
| 关键词 | 相变存储材料 热电材料 晶格热导率 第一性原理 电子结构 Phase-change materials Thermoelectric materials Lattice thermal conductivity First-principle calculations Electronic structures |
| 英文摘要 | 在信息高速发展和能源加速枯竭的今天，寻找高效的新能源材料和信息存储材料迫在眉睫。在锗（Ge）、锑（Sb）、碲（Te）三元相图中，二元相GeTe和Sb2Te3连线上的一系列mGeTe•nSb2Te3（简称GST）化合物既是高效的热电转换材料，同时又能利用快速相变存储数据，具有非常广阔的应用前景。无论是作为相变存储材料还是热电材料，GST化合物中的热传导是影响其使用性能的至关重要的因素。材料的热传导是一个非常复杂的过程，研究者至今仍在寻找一种高效、准确、低成本和普适的测量方法。受限于测量技术，在研究材料热输运性质的过程中总是存在很多的争议。本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法，结...; Today, with the rapid developing of information technology and the worsening energy crisis, new information storage technology and efficient new energy materials are needed. Chalcogenides with the composition lying in the GeTe•Sb2Te3 line in the Ge-Sb-Te ternary phase-diagram, which can be written as mGeTe•nSb2Te3, (GST for short), have been widely investigated as next generation non-v...; 学位：工学博士; 院系专业：材料学院_材料学; 学号：20720110153489 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=49716 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/127882]  |
| 专题 | 材料学院－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘元春. 硫属 mGeTe•nSb2Te3 化合物的电子结构与输运性质研究, Electronic structure and thermal transport properties of Chalcogenide mGeTe•nSb2Te3 compounds[D]. 2016, 2015. |
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