| 题名 | 晶体硅中过渡族金属杂质沉淀机理的研究; Investigation of precipitation mechanism of transition metal impurities in the Crystalline silicon |
| 作者 | 王永志 |
| 答辩日期 | 2012 ; 2012 |
| 导师 | 徐进 |
| 关键词 | 硅 过渡族金属 洁净区 少子寿命 silicon transition metals denuded zone minority carrier lifetime |
| 英文摘要 | 在硅器件制造过程中，过渡族金属作为最常见的杂质，很容易沾污到硅器件上。由于其在晶体硅中具有较高的扩散系数且固溶度对温度有强烈的依赖性，在随后的冷却过程中，很容易以复合体或沉淀的形式聚集下来，从而严重影响硅器件的良率。因此，研究不同热处理条件下晶体硅中过渡族金属杂质的沉淀机理对光伏工程以及微电子工业都有着极其重要的意义。 本文系统研究了在不同热处理方式和温度条件下，过渡族金属杂质的引入对洁净区生成以及晶体硅电学性能的影响。另外，对于过渡族金属杂质在硅中的沉淀机制，文中也做了较为详细的阐述与分析。具体的工作内容及主要结论如下： （1）利用腐蚀结合光学显微镜的方法系统研究了铜沉淀对洁净区形成的影...; 3d-transition metals, as the most common impurity , easily contaminate silicon wafers and device during device fabrication. Due to properties of high diffusion coefficient and the sharp solubility dependence on temperature in silicon, the transition metals tend to agglomerate and form precipitation during the subsequent cooling. This brings about detrimental effects on the device performance. Ther...; 学位：工学硕士; 院系专业：材料学院材料科学与工程系_材料物理与化学; 学号：20720091150031 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=34580 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/21885]  |
| 专题 | 材料学院－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永志. 晶体硅中过渡族金属杂质沉淀机理的研究, Investigation of precipitation mechanism of transition metal impurities in the Crystalline silicon[D]. 2012, 2012. |
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