QQ客服 官方微博 反馈留言

	LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管; InGaAs/InP PIN photodiodes fabricated by LP-MOCVD
	刘宝林 ; 黄美纯 ; 陈朝 ; 陈丽容 ; 陈龙海 ; 杨树人 ; 陈伯军 ; 王本忠 ; 范爱英 ; 李正庭 ; 刘式墉
	1995-12
关键词	半导体器件 半导体工艺 半导光电二极管 Semiconductor Devices Semiconductor Technology Photodiodes
英文摘要	【中文摘要】 采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。 【英文摘要】 Planar In/InGaAs/InP heterostructure photodiodes are fabricated using LP-MOCVD.The 75 μm diameter device with a PN junction formed by Zn diffusion shows low dark current of 8￣13 nA at bias voltage of -6V.The breakdown voltage is 60 V(1 μA) and the range of spectral response is λ=0. 90￣1.70μm and photodiode response is 0.56 A/W at the 1.3 μm wavelength.; 福建省自然科学基金
语种	中文
出版者	《半导体光电》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9745]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘宝林,黄美纯,陈朝,等. LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管, InGaAs/InP PIN photodiodes fabricated by LP-MOCVD[J],1995.
APA	刘宝林.,黄美纯.,陈朝.,陈丽容.,陈龙海.,...&刘式墉.(1995).LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管..
MLA	刘宝林,et al."LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管".(1995).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。