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	多量子阱结构的MOVPE生长; High quality Multi Quantum Well Structure by MOVPE
	陈松岩 ; 陈龙海 ; 黄美纯 ; 刘宝林 ; 洪火国 ; 李玉东 ; 王本忠 ; 刘式墉
	1997-05
关键词	多量子阱 界面 金属有机气相沉积 Multi quantum well Interfaces MOVPE
英文摘要	【中文摘要】 利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度，在１０Ｋ温度下ＰＬ谱半峰高宽（ＦＷＨＭ）为７ｍｅＶ 【英文摘要】 Multi quantum well interface quality is one of key factors that affect device performance. Metalorganic vapor phase epitaxial (MOVPE) grown InGaAsP/InP multi quantum well structure are studied. Abruptness optimization of interfaces is carried out by means of a different gas switching sequences. Analysis of x-ray and photoluminescence (PL) are used to provide detailed information about the interfaces. Measured and simulated rocking curves of Xray diffraction show monolayer fluctuations at the interfaces...; 福建省青年重点基金
语种	中文
出版者	《厦门大学学报(自然科学版)》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/9644]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈松岩,陈龙海,黄美纯,等. 多量子阱结构的MOVPE生长, High quality Multi Quantum Well Structure by MOVPE[J],1997.
APA	陈松岩.,陈龙海.,黄美纯.,刘宝林.,洪火国.,...&刘式墉.(1997).多量子阱结构的MOVPE生长..
MLA	陈松岩,et al."多量子阱结构的MOVPE生长".(1997).

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