碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究

CORC > 深圳大学

	碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究
	武红磊 ; 郑瑞生 ; 孟姝 ; 黄俊毅
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=SZDL201102004&dbname=CJFQ2011
	2012-04-27 ; 2012-04-27
关键词	半导体材料掺杂第一性原理计算氮化铝受主能级电阻率
中文摘要	采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0.19 eV,比单个碳受主低0.28 eV.利用碳硅共掺方法,在实验上制备出空穴浓度为1.4×1014cm-3、迁移率为52 cm2/(V.s)的p型氮化铝晶体.
语种	中文
其他责任者	深圳大学光电工程学院 ; 华南师范大学光电子材料与技术研究所
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/244041/1516]
专题	深圳大学
推荐引用方式 GB/T 7714	武红磊,郑瑞生,孟姝,等. 碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=SZDL201102004&dbname=CJFQ2011,2012, 2012.
APA	武红磊,郑瑞生,孟姝,&黄俊毅.(2012).碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=SZDL201102004&dbname=CJFQ2011.
MLA	武红磊,et al."碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=SZDL201102004&dbname=CJFQ2011 (2012).