InGaN量子点的MOVPE生长

CORC > 清华大学

	InGaN量子点的MOVPE生长
	赵维 ; 汪莱 ; 郝智彪 ; 罗毅
	2012-04-22 ; 2012-04-22
会议名称	中国北京全国光电子与量子电子学技术大会
关键词	量子点 InGaN MOVPE 生长中断交替通断紫外光子源晶格失配光致荧光谱光波长光学特性表面形貌临界厚度光波段生长模式生长技术族源 layer 生长条件化学气相外延
中文摘要	本文采用MOVPE技术生长了InGaN量子点并进行了评测。其中,紫外量子点利用了交替通断源的方法而绿光量子点利用了生长中断的方法。
会议录	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DZLZ201103001017&dbname=CPFD2012
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/3817]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	赵维,汪莱,郝智彪,等. InGaN量子点的MOVPE生长[C]. 见:中国北京全国光电子与量子电子学技术大会.