溅射条件对Ni_(80)Fe_(20)薄膜各向异性磁电阻的影响

CORC > 清华大学

	溅射条件对Ni_(80)Fe_(20)薄膜各向异性磁电阻的影响
	王合英 ; 孙文博 ; 茅卫红
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLSL200708000&dbname=CJFQ2007
	2012-04-22 ; 2012-04-22
关键词	Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻基片温度溅射气压
中文摘要	研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响.实验发现基片温度是影响Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻最重要的因素.在较高的基片温度下,溅射气压对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻也有较大的影响.基片温度在150~180℃,溅射气压在0.3~0.5 Pa范围内制备的Ni80Fe20薄膜有较大的各向异性磁电阻(3.7%~4.3%).
语种	中文
其他责任者	清华大学物理系 ; 清华大学物理系北京100084 ; 北京100084
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/1822]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王合英,孙文博,茅卫红. 溅射条件对Ni_(80)Fe_(20)薄膜各向异性磁电阻的影响[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLSL200708000&dbname=CJFQ2007,2012, 2012.
APA	王合英,孙文博,&茅卫红.(2012).溅射条件对Ni_(80)Fe_(20)薄膜各向异性磁电阻的影响.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLSL200708000&dbname=CJFQ2007.
MLA	王合英,et al."溅射条件对Ni_(80)Fe_(20)薄膜各向异性磁电阻的影响".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLSL200708000&dbname=CJFQ2007 (2012).