Selenium-Doped Black Phosphorus for High-Responsivity 2D Photodetectors
Xu, YJ(徐轶君); Yuan, J; Fei, LF; Wang, XL; Bao, QL; Wang, Y; Zhang, K(张凯); Zhang, YG(张跃刚)
刊名SMALL
2016
卷号12期号:36
通讯作者Zhang, K(张凯) ; Zhang, YG(张跃刚)
关键词[WOS]SINGLE-LAYER MOS2 ; FIELD-EFFECT TRANSISTORS ; MONOLAYER MOS2 ; GRAPHENE PHOTODETECTORS ; LIQUID EXFOLIATION ; PHOTOTRANSISTORS ; ELECTRONICS ; NANOSHEETS ; CRYSTALS ; GROWTH
收录类别SCI ; EI
语种英语
WOS记录号WOS:000384684500011
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4611]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米研究国际实验室_张跃钢团队
推荐引用方式
GB/T 7714
Xu, YJ,Yuan, J,Fei, LF,et al. Selenium-Doped Black Phosphorus for High-Responsivity 2D Photodetectors[J]. SMALL,2016,12(36).
APA Xu, YJ.,Yuan, J.,Fei, LF.,Wang, XL.,Bao, QL.,...&Zhang, YG.(2016).Selenium-Doped Black Phosphorus for High-Responsivity 2D Photodetectors.SMALL,12(36).
MLA Xu, YJ,et al."Selenium-Doped Black Phosphorus for High-Responsivity 2D Photodetectors".SMALL 12.36(2016).
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