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	氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
	王晓亮 ; 李巍 ; 李百泉 ; 肖红领 ; 殷海波 ; 冯春 ; 姜丽娟 ; 邱爱芹 ; 王翠梅 ; 介芳
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	半导体材料
公开日期	2016-09-28
申请日期	2015-01-06
专利申请号	CN201520005486.8
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27622]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓亮,李巍,李百泉,等. 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构.

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