| 曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制备方法 | |
| 王飞飞 ; 吴艳华 ; 胡发杰 ; 金鹏 ; 王占国 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 申请日期 | 2014-12-31 |
| 专利申请号 | CN201410854195.6 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27217]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王飞飞,吴艳华,胡发杰,等. 曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制备方法. |
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