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	一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
	刘胜北 ; 何志 ; 刘斌 ; 刘兴昉 ; 杨香 ; 樊中朝 ; 王晓峰 ; 王晓东 ; 赵永梅 ; 杨富华 ; 孙国胜 ; 曾一平
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
公开日期	2016-08-30
申请日期	2014-12-31
专利申请号	CN201410851645.6
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27216]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	刘胜北,何志,刘斌,等. 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法.

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