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	具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法
	刘智 ; 成步文 ; 何超 ; 李传波 ; 薛春来 ; 王启明
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	光电子学
公开日期	2016-09-22
申请日期	2015-07-07
专利申请号	CN201510394479.6
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27500]
专题	半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式 GB/T 7714	刘智,成步文,何超,等. 具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法.

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