题名退火对六联苯 超薄膜 的影响
作者刘丽
学位类别硕士
答辩日期2015-04
授予单位中国科学院研究生院
授予地点中国科学院长春应用化学研究所
导师闫东航
关键词六联苯超薄膜 退火 相转变 弱外延生长
中文摘要有机半导体薄膜是有机光电功能器件的核心,它形态结构对器件性能具有非常重要的影响,获得高质量的薄膜是提高器件性能的重要途径。所以高质量有机半导体薄膜的制备成为有机半导体薄膜器件研究的核心内容之一。弱取向外延生长能够制备出高取向、大尺寸、低缺陷、连续的薄膜而获得类单晶性能的有机半导体器件,基于这种方法制备出的薄膜在有机电子学领域显示出巨大的应用潜力。在弱外延方法中,诱导层的品质直接决定了外延薄膜的生长行为和质量。由于薄膜生长过程与原子扩散的密切相关,在这个过程中不可避免的会出现各种缺陷,加上薄膜生长方式的转变,影响薄膜的连续性。而退火这种方法能够增强原子的扩散迁移能力,减少薄膜材料的各类缺陷,降低粗糙度,增强了薄膜的晶化程度,另外,退火处理能显著降低薄膜表层原子的最大法向受力和应力,从而能改善和提高薄膜性能。本论文主要集中在研究退火条件下六联苯薄膜的转变行为,来获得缺陷少,连续性好的六联苯超薄...
英文摘要The growth of high-quality organic semiconductor thin film is one of the core subjects in organic semiconductor area. The membrane structures have a great significance on performance of electrical devices. High-quality organic semiconductor thin film, which are highly oriented, large size domain, and continuous have been fabricated successfully by the weak epitaxy growth (WEG) method. The field-effect motilities are up to the same level as the corresponding single crystals, and show great potential application in organic electronics. It has been proved that the quality of inducing layer substrate directly determines the growth behavior and quality of the epitaxial thin film in this method. But, the growth of thin film is closely related to the diffusion of adatom, all kinds of defects may ...
语种中文
公开日期2016-05-25
内容类型学位论文
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/65044]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_学位论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘丽. 退火对六联苯 超薄膜 的影响[D]. 中国科学院长春应用化学研究所. 中国科学院研究生院. 2015.
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