一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法 | |
李刚; 吕起鹏; 王锋; 公发全; 邓淞文; 孙龙; 金玉奇 | |
2015-11-01 | |
专利国别 | CN |
专利号 | CN201310681582.X |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种反应磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法,通过对传统磁控溅射技术的改进,在真空室内引入一等离子体区域,采用中频脉冲直流或直流溅射溅射Ti金属靶,并控制工作气体压强、温度、时间、溅射功率等工艺条件,在衬底上沉积TiN薄膜。使用本方法可以在低温环境下性能良好的TiN薄膜,薄膜的结晶度、致密性及硬度得到提高,表面粗糙度小,薄膜与衬底有较高的结合力,很难产生局部脱落。本发明可以为硬质薄膜的实验研究或工业生产提供样品。 |
是否PCT专利 | 否 |
学科主题 | 物理化学 |
公开日期 | 2015-06-17 |
授权日期 | 2015-11-01 |
申请日期 | 2013-12-11 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201310681582.X |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144877] |
专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
作者单位 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李刚,吕起鹏,王锋,等. 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法. CN201310681582.X. 2015-11-01. |
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