MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究

	MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究
	徐波
刊名	发光学报
	1997
卷号	18 期号:3 页码:228
中文摘要	利用MBE方法在(001)GaAs衬底上生长了多层竖直自对准InAs量子点结构。透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布。同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移。这表明由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生。光荧光谱线半高宽随温度的反常变化说明载流子还会在邻近柱中隧穿。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19385]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	徐波. MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究[J]. 发光学报,1997,18(3):228.
APA	徐波.(1997).MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究.发光学报,18(3),228.
MLA	徐波."MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究".发光学报 18.3(1997):228.